据韩国IT媒体ZDNET Korea最新报道,三星电子正与客户就第三季度DRAM价格进行谈判,目标是将通用DRAM平均售价较上一季度上调最高20%。这已是三星电子今年连续第三个季度推动DRAM大幅涨价,累计涨幅已远超行业平均水平,引发了市场对存储芯片供需格局的广泛关注。
连续涨价:三个季度累计涨幅超140%
三星电子今年以来的DRAM价格上涨幅度远超同业。据业界数据,第一季度其DRAM平均售价较上季度上涨约90%,第二季度涨幅约为50%至60%,第三季度目标涨幅约为20%。这意味着,仅今年上半年,三星电子的DRAM累计价格涨幅已超过140%。
相比之下,HBM(高带宽内存)生产占比较高的SK海力士涨价幅度相对温和。业界普遍认为,这一差异源于两家公司产品结构的不同——三星电子通用DRAM占总产量比重较高,价格弹性更大,且在推动涨价方面态度更为积极。一位半导体业界人士表示,三星电子在第三季度的价格谈判中态度非常强硬,但客户是否能够全盘接受,目前尚无定论。
三星电子 2024 年 DRAM 价格走势
- Q1:较上季度上涨约 90%
- Q2:较上季度上涨约 50%~60%
- Q3(目标):较上季度上涨约 20%
- 上半年累计涨幅:超 140%
- SK海力士同期涨幅低于三星,主要因HBM占比更高
AI需求:涨价的根本驱动力
存储芯片价格持续走强的根本原因,在于全球大型科技公司对AI基础设施的大规模投资所引发的供需失衡。随着ChatGPT、Claude等大语言模型的快速迭代,AI训练和推理对服务器DRAM、HBM以及LPDDR(低功耗DRAM)的需求呈指数级增长。
Meta今年4月已将全年AI基础设施投资计划从此前的1150亿至1350亿美元上调至1250亿至1450亿美元,持续扩大资本支出的方向未变。尽管Meta近期被报道正在推进云服务商业化、向外部出售内部剩余算力,但业界分析认为,此举是为了更高效地利用内部算力资源,而非释放产能过剩信号。长期供应协议(LTA)比例的持续上升,也从侧面印证了客户对中长期内存供给偏紧的预判。
美光科技上月末在业绩发布会上披露,公司已与客户签订共16份长期供应协议。据悉,上述协议不仅对购买量具有约束力,还设定了保障高利润水平的价格下限。这一动向反映出客户对中长期内存供给持续偏紧的预判,也意味着存储芯片厂商的高利润水平有望在中期内持续。
市场反响:亚太芯片股全线大涨
受涨价消息提振,7月3日亚太股市芯片板块表现强劲。韩国股市方面,三星电子涨超8%,SK海力士涨超10%,带动韩国KOSPI指数V型反弹,收盘大涨5.76%。花旗在最新研报中表示,三星电子近期股价回调属于技术性修正,存储芯片基本面依然稳健。
日本股市同步走强,日经225指数收涨1.47%,存储芯片龙头铠侠涨幅超过9%。铠侠CEO Hiroo Ota当天明确表示,"我们没有看到数据中心需求减弱的迹象",并称公司将"坚定回应市场增长",暗示不排除进一步增加资本支出。这一表态直接打消了市场对AI存储需求持续性的担忧。
铠侠加码3D闪存,为AI储备产能
日本存储芯片龙头铠侠于7月3日宣布,已开始向各大AI数据中心运营商交付其第十代BiCS FLASH 3D闪存芯片样品,并计划于2027年在日本北上工厂启动量产。
Hiroo Ota在当天的发言中指出,随着AI智能体(AI Agent)的兴起以及AI技术在机器人等领域的应用普及,闪存市场的扩张空间将进一步打开。铠侠将加快产能布局以应对持续增长的存储需求。这一表态与三星电子、SK海力士等韩国厂商的扩产方向一致,全球存储芯片供应链正在全面加速适配AI时代的海量存储需求。
代工新局:AI巨头自研芯片加速
存储芯片涨价之外,AI芯片代工领域也在发生深刻变化。据报道,三星电子正成为全球大科技公司自研AI芯片的核心生产基地,其中长期积压订单有望逼近50万亿韩元。
Meta正推进与三星电子晶圆代工合作,设计并生产价值超10万亿韩元的下一代ASIC,计划采用2nm尖端工艺量产数十万组。与此同时,Anthropic正与三星电子就由其晶圆代工部门生产自研AI芯片进行早期洽谈,考虑采用2nm制程工艺及先进封装设施。若洽谈成行,三星电子有望在特斯拉、英伟达和苹果之后,再添一家大型科技客户。
AI初创公司正寻求通过自研芯片掌握底层基础设施主动权,以减少对英伟达GPU的依赖并实现成本效益。在大规模模型训练和推理场景下,芯片效率的微小提升也能显著压缩运营成本。
行业展望:涨价有望延续至明年
展望未来,业界普遍预计DRAM价格将在短期内保持稳定上行趋势。尽管价格上涨速度正在逐步放缓,但以下因素将支撑存储芯片价格在中期内维持高位:
一是AI基础设施投资尚未见顶。全球科技巨头的资本支出计划仍在持续上调,且尚无任何放缓迹象。二是长期供应协议比例上升,锁定了中长期需求,减少了市场价格波动的下行空间。三是HBM等高端存储产能扩张速度有限,供需紧平衡格局短期难以根本改变。
花旗等机构分析认为,存储芯片行业明年仍将保持极高的盈利趋势。一位业内人士表示,随着长期供应协议扩大、HBM价格重新谈判等因素叠加,明年DRAM市场大幅下行的可能性很低。对于消费电子厂商和终端品牌商而言,提前锁定供应协议、建立安全库存,将是应对存储芯片持续涨价的关键策略。
信息来源:ZDNET Korea、韩国《东亚日报》、The Information、铠侠官方公告、美光科技财报
